고전력스위칭용반도체
IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor · 물류·관세
고전력스위칭용반도체 뜻
전력용 반도체의 일종. 전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하게 된다. 기존의 스위칭 반도체인 트랜지스터는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느린 단점이 있고, MOSFET는 저전력이고 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있어 이두 제품의 장점만을 결합한 제품이 전력용 반도체 IGBT임.
- 영문
- IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor
- 분야
- 물류·관세
- 다른 표기
- IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor
표기 예시
예: 자료에서 ‘고전력스위칭용반도체(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor)’처럼 한글 용어와 영문명을 함께 표기할 수 있습니다.
자료 출처
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고전력스위칭용반도체 자주 묻는 질문
고전력스위칭용반도체 뜻은 무엇인가요?
전력용 반도체의 일종. 전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하게 된다. 기존의 스위칭 반도체인 트랜지스터는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느린 단점이 있고, MOSFET는 저전력이고 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있어 이두 제품의 장점만을 결합한 제품이 전력용 반도체 IGBT임.
고전력스위칭용반도체 영어로 어떻게 쓰나요?
고전력스위칭용반도체의 영문 표기는 IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor입니다.
고전력스위칭용반도체은 어떤 분야의 용어인가요?
고전력스위칭용반도체은 지수포스트 용어사전에서 물류·관세 분야로 분류되어 있습니다.
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